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 使用基本公司SiC碳硅MOSFET打造全SiC光伏逆变器！-倾佳电子（Changer Tech）业分销
使用基本公司SiC碳硅MOSFET升传统IGBT光伏逆变器，实现高的光伏逆变器率，小的光伏逆变器积重量！低的光伏逆变器成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何电感等磁元件成本将成为电力电子制造商的一大点，使用基本公司碳硅MOSFET管或者模块替代IGBT管或模块，可以显著提频系统综合成本（电感磁元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）业分销基本公司SiC碳硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳硅（SiC）MOSFET率器件在电力电子--场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which --mitted to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳硅MOSFET管适用于光储中的Boost、T型三电平、DCDC等高开关频率拓扑。
组串式逆变器是基于模块概念基础上的，每个光伏组串通过一个逆变器，多块电池板组成一个组串，接入小率相逆变器在直流端具有大率峰值--，在交流端并联并网，已成为现在全球--场上流行的逆变器。拓扑结构采用DC-DC－BOOST升压（MPPT）和DC－AC逆变两电力电子器件变换，等一般为IP65。积较小，可室外壁挂式安装。
组串光伏逆变器有多路MPPT，每路MPPT器件选型为基本™B2M040120Z或B3M040120Z+基本™碳硅肖特基二管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
MPPT选择基本™SiC碳硅率器件方案的逻辑：
组串式逆变器早期旧方案中的开关管需要用两颗40A/1200V IGBT并联或者75A/1200V IGBT，升压二管是1200V 60A Si FRD，开关管的开关频率只有16kHz~18kHz
而新方案选用基本™SiC碳硅MOSFET开关B2M040120Z或B3M040120Z频率为40-60kHz，大幅度小了电感等磁元件的积和成本，并且基本™SiC碳硅率器件的壳温低于IGBT方案，提升了系统可靠。
基本公司SiC碳硅MOSFET组串式逆变器DC－AC中的应用 SiC MOSFET在三电平并网逆变器中的应用
基本公司SiC碳硅MOSFET管B2M040120Z或B3M040120Z适用于组串式逆变器DC－AC中T型三电平的竖管。逆变器开关频率通常较高，同时其工作原决定了开关耗占比较大，所以竖管需要具有低的开关耗；基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳硅 (SiC) MOSFET出色的材料特使得能够设计速开关型器件，替代升双型 IGBT （绝缘栅双晶管）。基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到高的率、高的开关频率、少的散热和节空间——这些好处反过来也了总系统成本。T型三电平横管可以使用基本公司混合碳硅器件。
通过使用基本公司SiC碳硅MOSFET管可以很容地从光伏三电平并网逆变器整率的提高中计算出能源使用和成本节约；与IGBT管解决方案相比，基本公司SiC碳硅MOSFET管可以将储能变流器PCS或者光伏三电平并网逆变器的耗半，并提供通常2的外能量和运行时间。基本公司SiC碳硅MOSFET管B2M040120Z或B3M040120Z的位成本已经接近IGBT管。因为基本公司SiC碳硅MOSFET管高的开关频率允许光伏三电平并网逆变器使用小、便的磁元件和散热器，所以在系统层面上，光伏三电平并网逆变器硬件成本会大大。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物限。SiC MOSFET宽禁带半导提供了实现半导总率耗的显著的可能。使用SiC MOSFET可以开关耗，从而提高开关频率。进一步的，可以--滤波器组件，相应的耗会下，从而全面少系统耗。通过采用低电感SiC MOSFET率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，率耗可以约70左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器--），同时保持高结温低于大规定值。
为了保持电力电子系统竞争--势，同时也为了使用户获得经济益，一定程度的率和紧凑成为每一种电力电子应用率转换应用的--势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET--成本持续下，使用SiC MOSFET替代升IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
倾佳电子（Changer Tech）业分销基本™（BASiC Semiconductor）碳硅SiC率MOSFET,BASiC基本™碳硅MOSFET模块，BASiC基本™管SiC碳硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳硅MOSFET模块，BASiC基本™SiC碳硅MOSFET模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型SiC碳硅MOSFET模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，碳硅(SiC)MOSFET用双通道隔离驱动芯片BTD25350，通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,通道隔离驱动芯片（带VCE保）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源域。在光伏逆变器、光储一机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，燃料空压机驱动，大率工业电源，业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等域与客户-略合作，倾佳电子（Changer Tech）全力支持中国电力电子工业发展！
倾佳电子（Changer Tech）-业汽车连接器及率半导(SiC碳硅MOSFET管，SiC碳硅MOSFET模块，碳硅SiC-MOSFET，氮镓GaN，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动、数字转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。在新型能源系的发展趋势场景下，合数字技术、电力电子技术、热管技术和储能管技术，以实现发电的低碳、用能的电气和用电的高，以及“源、网、荷、储、车”的协同发展。倾佳电子（Changer Tech）-以技术创新为导向，将不断创新技术和产品，坚定不移与产业和合作伙伴携手，积参与数字能源产业生态，为客户提供高--汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，创新型车规互联产品，包括线对板、板对板、输入输出、电源管和FFC-FPC连接器，涵盖2充电站和可在30分钟内为EV电池充满电的3超速充电站的高能电源连接器，用于地下无线充电的IP67封连接器。以及以技术创新为导向的各类率半导器件：车规碳硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模块，碳硅(SiC)MOSFET模块，IGBT模块，国产碳硅(SiC)MOSFET，IPM模块，IGBT管，混合IGBT管，三电平IGBT模块，混合IGBT模块，光伏MPPT碳硅MOSFET，伺服驱动SiC碳硅MOSFET，逆变焊机国产SiC碳硅MOSFET，OBC车载SiC碳硅MOSFET，储能变流器PCS碳硅MOSFET模块，充电桩电源模块碳硅MOSFET，国产氮镓GaN，隔离驱动IC等产品，倾佳电子（Changer Tech）全面服务于中国新能源汽车行业，新能源汽车电控系统，电力电子装备，新能源汽车充电桩系统，全液冷超充，高率度风冷充电模块，液冷充电模块，欧标充电桩，车载DCDC模块，国网三充电模块光储变流器，分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储，智能组串式储能等行业应用，倾佳电子（Changer Tech）为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳庭等新能源发展目标奋斗，从而为实现一个零碳地球做出贡献，迈向数字能源新时代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon --works, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
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| 公司名称： |
上海倾佳电子有限公司 |
公司类型： |
企业单位 (服务商) |
| 所 在 地： |
上海 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2018 |
| 资料认证： |
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| 经营模式： |
服务商 |
| 经营范围： |
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| 销售的产品： |
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| 采购的产品： |
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